По ранее просочившимся утечкам и слухам, новый чип Snapdragon 8 Elite от Qualcomm покажет приличный прирост мощности, в сравнении с предшественником. В недавних тестах чип показал впечатляющие результаты в тестах производительности, но столкнулся с проблемами перегрева и высоким энергопотреблением.
Что известно
Сообщается, что может быть две версии чипа: одна с максимальной рабочей частотой 4,09 ГГц, а другая — разогнанная до 4,32 ГГц. В Geekbench разогнанная версия чипа показала 3 216 баллов в одноядерном и 10 051 балл в многоядерном тестах. Этот результат лучше на 35% в одноядерной производительности и на 30% в многоядерной в сравнении с предыдущими поколениями. Графический процессор Adreno 830 также продемонстрировал высокие результаты, поддерживая 4K разрешение на частоте 144 Гц.
Однако, разогнанная версия чипа потребляет более 20 Вт энергии, что приводит к нагреву до 98,5 °C. Это вызывает опасения по поводу терморегулирования и времени автономной работы устройств. Производители, такие как OnePlus и Xiaomi, планируют использовать большие батареи и активное охлаждение для решения этих проблем. Пока Qualcomm не решит проблемы с перегревом, Snapdragon 8 Elite может столкнуться с трудностями в реальном использовании, особенно при выполнении ресурсоемких задач.
Ожидается, что чип будет официально представлен на саммите Snapdragon в 21 по 24 октября.
